Neue eUFS-Chips bringen 512 GB Speicher in Smartphones — Samsung

Einstellen Kommentar Drucken

Der koreanische Elektronikgigant Samsung hat heute den Beginn der Produktion der ersten Embedded-Speicherlösung für Smartphones mit einer Kapazität von 512 Gigabyte bekannt gegeben. Die Speichersparte des Unternehmens bringt damit erstmals eine solch große Kapazität in nur einem Chip unter. Die Speicherchips bestehen aus 64-GB-Layer V-NAND-Flashspeicher die mit einem nicht näher genannten Controller von Samsung arbeiten. Dabei soll es sich um einen neuen Universal-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 512 Gigabyte handeln, der für die nächste Generation von Smartphones gedacht ist.

Samsung zufolge war zuvor bei seinen eUFS-Lösungen bei 256 Gigabyte Schluss, so dass der neue Chip eine Verdopplung darstellt, ohne dass dafür im Gerät selbst mehr Platz benötigt würde. Samsung selber hat natürlich noch nicht verraten, in welchen Geräten man den Speicher verbauen möchte, von daher ist unklar ob es schon ein Samsung Galaxy S9 mit 512 GB Speicheroption geben wird.

Mit maximal 860 MB/s beim sequentiellen Lesen und bis zu 255 MB/s beim sequentiellen Schreiben sowie 42.000 IOPS beim Lesen und 40.000 IOPS beim Schreiben erinnert der 512 GB große Speicher auch bei den Leistungsdaten an eUFS mit 128 GB für den Bereich Automotive. Dieser Wert liegt um den Faktor 100 höher als bei herkömmlichen Micro-SD-Karten, erklärt Samsung.

Comments